ماسفت (IRF9540(TO220+ غیر اورجینال

مشخصات


ترانزیستور های ماسفت به دو صورت ساخته می شوند.
۱- ترانزیستور های ماسفت با کانال تهی شونده ( DMOSFET )
این نوع ترانزیستور از یک قطعه نیمه هادی پایه نوع P با ناخالصی کم تشکیل شده است. درون این قطعه، دو ناحیه نوع N با ناخالصی زیاد ایجاد می کنند که این نواحی را بوسیله یک کانال نوع N با ناخالصی کم به یک دیگر وصل می کنند. از طرفین کانال ، کنتاکت های درین – سورس خارج می شوند. گیت این ترانزیستور را یک صفحه فلزی تشکیل می دهد که توسط لایه نازکی از دی اکسید سیلیکون از کانال کاملا جدا شده است.    


۲- ترانزیستور های ماسفت  با کانال تشکیل شونده یا بهبود یافته (EMOSFET)
این نوع ترانزیستور بر خلاف ترانزیستور با کانال تهی شونده ، کانال را در هنگام ساخت ایجاد نمی کنند. لذا تا وقتی که گیت ترانزیستور بایاس نشود ، ترانزیستور خاموش می ماند. به علت مقاومت خیلی زیاد بلور پایه که درین سورس را از یکدیگر جدا می کند و عملا با افزایش VDS جریان محسوسی از درین نمی گذرد.

 
قیمت برای شما: 30,000 ریال



ماسفت P-19A-100V-150W

  • مشخصات فنی
  • نظرات ارسال شده

مشخصات فنی

ماسفت (IRF9540(TO220+ غیر اورجینال
مشخصات

نظرات ارسال شده

فرم ارسال نظرات